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NDK晶振,貼片晶振,NX8045GE晶振,進口SMD晶振
頻率：4~8MHZ
尺寸：8.0*4.5*2.0mm
NDK晶振集團所處于的事業環境是智能手機市場的擴大已在延緩，但伴隨著LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等帶來的搭載部件的構成的變化，使得TCXO(溫度補償晶體振蕩器)和SAW（彈性表面波）器件的需要在急速增加。日本電波工業株式會社作為石英晶體元器件的專業生產廠家，以“通過對客戶的服務，為社會繁榮和世界和平作出貢獻”的創業理念為基礎于1948年成立。現在我們作為提供電子業必不可少的，在豐富用途被廣泛使用的晶體元器件產品以及應用。晶振技術的傳感器等新的高附加價值產品的頻率綜合生產廠家，正以企業的繼續成長為目標而努力。高端數碼電子諧振器,8045陶瓷殼2P晶振,NX8045GE晶振
日本NDK晶振集團創造利益，提升企業價值的同時，為了繼續提升企業的價值，我們認為維持經營的透明性，確實盡到對各位股份持有者說明的責任這樣的公司治理的構筑必不可少，我們把其放在經營最重要的課題之一的位置。日本于2015年6月制定了公司治理準則，由此我們迎來了兩位外部董事。加大強化相關經營監察機能、遵守法律，確保說明責任，迅速且適當地公布信息，履行環境保全等的社會責任，而從使我們能繼續成為所有股份持有者的各位所信任和尊敬的企業。
NDK晶振,貼片晶振,NX8045GE晶振,進口SMD晶振,貼片石英晶振最適合用于車載電子領域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對應有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時鐘部分簡稱為時鐘晶體振蕩器,在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.
石英晶振曲率半徑加工技術：石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應用到的加工技術，主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設計可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設計（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時球面測量標準的設計原則（曲率半徑公式的計算）。晶振的真空封裝技術：是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。高端數碼電子諧振器,8045陶瓷殼2P晶振,NX8045GE晶振
|
NDK晶振 |
單位 |
NX8045GE晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
4MHz~8MHz |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+150°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+150°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
50~500μW Max. |
推薦:10μW~100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50× 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±150 × 10-6/-10°C~+70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
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負載電容 |
CL |
8pF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
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串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C~+60°C, DL =500μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
這些SMD晶振知識介紹是指，晶振在產品上線之后發生不良品或者沒反應的情況下，自檢辦法。石英晶振如果在電路上的功能不規則或根本無法全部晶振找出得到了應用操作，請使用以下的清單找出可能存在的問題。請按照確定的因素和可能的解決方案的說明。我們從晶振使用輸出無信號開始尋找相關問題。NDK晶振,貼片晶振,NX8045GE晶振,進口SMD晶振
我們可以先使用示波器或者頻率計數器來檢查石英晶體諧振器終端的兩個信號，如果沒有信號輸出，請按照步驟1-1到1-4步執行檢查。如果有從石英晶振（XOUT）的輸出端子的輸出信號，而是從在終端（辛）輸出沒有信號，請檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6。
你可以先把晶體卸載下來并測試晶振的頻率和負載電容，看看他們是否能振動，也可以使用專業的石英晶體測試儀器來檢測 。如果你沒法檢測你也可以將不良品發送給我公司，我們檢測分析之后告訴你結果。如果有下列情況發生，無源晶振不起振，首先你先查看你產品上使用的負載電容CL是否對，是否跟你的線路相匹配，或者是晶振的精度是否符合你的要求，或者你可以把產品發送回我公司分析。如果晶振頻率和負載電容跟要求相對應的話，我們將需要進行等效電路測試。比如等效電路測試如下：高端數碼電子諧振器,8045陶瓷殼2P晶振,NX8045GE晶振
測試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量陶瓷面貼片晶振頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.NDK晶振,貼片晶振,NX8045GE晶振,進口SMD晶振
驅動能力:驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過8x4.5mm汽車級晶振晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.
晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在8045大體積晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當的控制電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過8045貼片晶振測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯系人：茹紅青
手機：13510569637
電話：0755-27837162
QQ號：657116624
微信公眾號：CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號：晶振石英晶振NDK晶振
郵箱：jinluodz@163.com
地址：深圳市寶安區41區甲岸路19號
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