E8WSDC12-32.768K晶振,進口32.768K石英晶體,金屬殼二腳貼片晶振

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ECLIPTEK晶振,3215時鐘晶體,E8WSDC12-32.768K晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：3.2*1.5*0.9mm

貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產品本身具備優良的耐熱性,耐環境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發揮優良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產品在封裝時能發揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

訂購熱線：0755-27837162

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憑借先進的設備一流的技術以及公司訓練有素的服務團隊,多方面的滿足各領域客戶的不同需求,從而成為晶振行業內的最佳資源之一.服務是Ecliptek日蝕晶振成功的基石.我們時時為客戶著想,盡力滿足并超越客戶對于我們的石英晶振,貼片晶振,電壓晶體元件,晶體振蕩器,有源晶振等產品的質量要求以及服務價值.作為良好的企業市民,遵循本公司的行動方針,充分關心維護地球環境.遵守國內外的有關環保法規.
對我們的有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振, 晶體諧振器、普通晶體振蕩器（SPXO）、溫補晶振、壓控晶體振蕩器（VCXO）進行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業伙伴服務提供上理解他們的行為如何影響著環境.所有的經營組織都將積極應用國際標準以及適用的法律法規.為促進合理有效的公共政策的制訂實施加強戰略聯系.

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ECLIPTEK晶振,3215時鐘晶體,E8WSDC12-32.768K晶振.產品本身具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產品具有優良的耐熱性,耐環境特性,可發揮晶振優良的電氣特性,符合RoHS規定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產品在封裝時能發揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
日蝕石英晶振的切型。采用高速線切割技術：1.優化及嚴格規范線切割機各項設備參數；2.通過試驗精選所使用的各類線切割料，如：磨料、線切割線、槽輪等；3.確認最優的石英晶振切割工藝參數。通過以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了石英晶振晶片的精度，提高了生產效率。E8WSDC12-32.768K晶振,進口32.768K石英晶體,金屬殼二腳貼片晶振

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日蝕晶振	單位	E8WSDC12-32.768K晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ~ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	0.5μW Max.	推薦:1μW ~100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6 (標準)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.bettycid.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-40°C ~+85°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	12.5pF	超出標準說明,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-0°C~ +70°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。ECLIPTEK晶振,3215時鐘晶體,E8WSDC12-32.768K晶振
使用環境（溫度和濕度）
請在規定的溫度范圍內使用時鐘晶振。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力，會導致32.768K晶振特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率（請參閱“激勵功率”章節內容）。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關于振蕩”章節內容）。E8WSDC12-32.768K晶振,進口32.768K石英晶體,金屬殼二腳貼片晶振
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩美國進口晶振頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整，可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節內容）。

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設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明32.768K貼片晶振所需電功率，其計算公式如下：
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。ECLIPTEK晶振,3215時鐘晶體,E8WSDC12-32.768K晶振

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2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加3215mm晶振振蕩啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致32.768K進口晶振振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。E8WSDC12-32.768K晶振,進口32.768K石英晶體,金屬殼二腳貼片晶振

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